场效应管，又称为晶体管MOSFET，是一种广泛应用于模拟和数字电路的半导体器件。其主要工作原理是电场效应，其电性能优异，体积小，功耗低，可靠性高，因此在电子器件中被广泛应用。
场效应管的主要组成部分包括栅极、漏极和源极，其中栅极和漏极构成了一个电容二极管，源极和漏极之间成为导通状态和关断状态，导通状态时，在源极和漏极之间形成了一条导电通路。
应用方面，场效应管因其性能卓越常用于微处理器、存储器、放大器、开关电路、功率变换器等领域。场效应管还常用于高频电路中，特别是RF（无线电频率）应用，如微波通信，在VHF-UHF频率范围内的接收机和发射机中，都广泛应用了场效应管技术。
